NAND FLASH需要复杂的流程才能进行操作，由于S3C2440中有NAND FLASH控制器，只需要向相应的寄存器写入或读出数据即可，如下表

　　注意：因为这里的Nand Falsh的位宽是8位的，因此地址，命令、数据、状态 的读写只能以8位形式，因此需要重新设置一下读写的字节数：

　　NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Flash因为具有非易失性及可擦除性，在数码相机、手机、个人数字助理( PDA)、掌上电脑、MP3播放器等手持设备中得到广泛的应用。NAND Flash相对于NOR Flash具有更小的体积、更快的写入速度、更多次的可擦除次数以及更低廉的价格而得到了迅速发展。大容量的NAND Flash特别适合现在数码设备中大数据量的存储携带,可以降低成本,提高性能 。     1系统设计     1.1NAND Flash和NOR Flash的区别     1.1.1接口差别     NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可

　　内存设备的读写控制设计 /

　　摘要：在目前的ASIC设计中，时钟信号的质量对同步数字电路的影响越来越大。如何避免时序问题给电路造成的不利影响成为设计中的重要挑战。本文主要介绍了逻辑设计中值得注意的重要时序问题，以及如何克服这些问题。最后介绍了利用Astro工具进行时序分析的方法。 关键词：ASIC；同步数字电路；时序；Astro 引言 随着系统时钟频率的提高，时钟偏斜和干扰开始成为IC工程师重点考虑的问题。增大时序电路的时钟频率，减小时序电路的容差能提升未来的系统性能。低偏斜时钟缓冲器和锁相环时钟驱动器将帮助设计人员设计出速度、偏斜和抗噪性能等指标满足要求的电路系统，但必须将时钟电路设计为一个时钟系统，考虑时钟分步网络的各个方面，包括驱动器、传输线路和

　　磁性随机存储器(MRAM)供应商Crocus Technology声称已开发出一种称之为磁性逻辑单元(Magnetic Logic Unit, MLU )的技术，它可匹配其热辅助磁性转换(TAS)技术，除了储存以外还可用于存储器存取，开启了使用在MRAM中实现类NAND( NAND -like)存储器以及搜寻存储器的可能性。     藉由开启数据储存、安全商业及通讯应用、网路处理以及汽车和工业等应用，Crocus声称，此一创新技术将可拓展磁性技术的市场。然而，该公司并未透露何时可量产或将推出何种容量的存储器。      在高密度存储器应用中，MLU开启了一条可在 磁性存储器 中实现类NAND配置的道路，MLU N

　　1，FLASH操作程序设计 下面我们来学习编程的内容。在学习编程前，我们要先了解一下FLASH存储模块的控制寄存器。 FLASH存储模块的所有操作都通过控制相关的控制寄存器来实现的。包括FCTL1、FCTL2、FCTL3三个控制寄存器，其中FCTL1主要包含对FLASH的编程和擦除操作的控制位；FCTL2主要定义进入时序发生器前的时钟源和分频系数；FCTL3保存FLASH存储模块的一些标志位。 2， FCTL1控制寄存器 FWKEY：FLASH存储模块的安全键值。共8位，对FLASH操作时应该向其中写入对应的安全键值，否则会引起PUC信号以及KEYV信号。0x96：读取时的安全键值；0x5A：写入时的安全键值

　　与存储器结构（3） /

　　问题现象： MDK，J-Flash，IAR等无法连接芯片，有时候链接上了，但是无法下载。 注意：如果下载器线的接触不良，也会有这个问题。 问题描述： 1、Flash读写保护 根本原因是工程设计有问题，特别是实际晶振大小与程序中HSE_VALUE大小不一致，很容易导致Flash读保护。 而读保护的本质是芯片的选项字节被设置了，因为读保护就在选项字节里面，详情看此贴：链接 2、SWD锁 SWD接口锁住就是SWD引脚被锁住了，根本原因是用户使用这个引脚做其它功能了。 解决办法： 1、SWD引脚锁解决办法： （1）、SWD引脚被锁住的解决办法比较简单，只要下载器带了复位引脚，并且板子的SWD接口也留出了RST复位引脚，就可以

　　读写保护，SWD引脚锁的各种解决办法汇总 /

　　NAND Flash控制芯片暨模组厂群联（8299）公布第1季EPS为4.48元，该公司董事长潘健成表示，首季成绩符合预期，第2季的表现估计将比第1季好。 NAND Flash产业近况相对低缓，群联第1季合并营收92.99亿元，归属母公司业主净利为8.82亿元，两者均比去年同期衰退，税后EPS为4.48元。累计前四月合并营收为128.17亿元，年减0.7％。 群联指出，NAND Flash产业去年经历史上最大缺货潮，今年产业循环回归至健康平衡状况，第1季进入传统淡季，第2季逐步回温，目前价格呈现平稳走势。潘健成估计，该公司本季毛利率将回升，获利也可比首季来得好。 群联趁今年首季为淡季，价格回档之时，扩大固态硬碟（SSD

　　在OLED面板竞争者量产进度不断递延，加上Flash、DRAM报价因市场寡占结构确立，后续易涨难跌格局难变，三星电子(Samsung Electronics)2017年第2季获利以逾136亿美元首度超前苹果(Apple)的财报内容，未来一段时间内恐成常态，台湾半导体业者指出，以2018年全球OLED面板市场仍然供不应求盛况，三星电子独享逾90%市占率的独霸结构不变，加上全球DRAM市场供给增加明显有限，2018年报价走势仍然持续看涨不看跌，哪怕Flash报价有比较多杂音，但三星电子还是可以持盈保泰的竞争力，将让三星电子2018年获利表现往上膨胀到一个最新的恐怖境界，在全球科技产业竞争向来有人是英雄、钱是胆的惯例下，哪怕三星电子短期

　　1． 引言 cdma2000 1x移动通信系统的基站主处理机采用WindRiver公司VxWorks嵌入式实时操作系统，选用FLASH 存储器(以下简称FLASH)作为外部存储设备保存系统数和业务数据。 FLASH与普通磁介质存储器最大的差异在于写操作方式不同，其写操作相对于普通磁盘比较慢的过程，消耗掉大量的CPU资源。FLASH基于命令字的写操作方式导致的写入错误，虽然几率很小但实际上是存在的。而商用VxWorks操作系统提供的dosFs文件系统和专用TrueFFS文件系统对该情况处理不足，并且用户没有相应的源码，系统一旦出现写操作错误，将不可控制，降低了系统的可控性。所以，有必要对FLASH的存取操作加以改进或控制，并设计一

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　　MCS51是指由美国INTEL公司生产的一系列单片机的总称，这一系列单片机包括了好些品种，如8031，8051，8751，8032，8052，8752等，其中80 ...

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